三星想用第二代3nm争取英伟达:但良率仅20%远低于台积电

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查看126 | 回复0 | 2024-5-23 08:22:48|发表时间:2024-5-23 08:22:48| 显示全部楼层 |阅读模式

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据报道,三星计划利用其最新的3nm工艺技术来争取获得英伟达的芯片代工订单。然而,最新报告显示,三星3nm工艺的良率仅为20%,这可能会成为其在竞争中的一大障碍。
相比之下,台积电的N3B工艺良率已经接近55%,这也使台积电在先进芯片制造领域保持了行业领导者的地位。低良率意味着生产成本将更高,从而削弱了三星与台积电在价格和性能方面的竞争能力。
尽管如此,三星电子晶圆代工部门已经制定了名为“Nemo”的计划,目标是在2024年赢得英伟达的3nm芯片代工订单。然而目前三星代工部门尚未成立专门的组织来攻关,并且良率问题仍然是其面临的首要难题。
业界分析人士指出,三星电子预计将在2024年上半年开始量产第二代3nm GAA工艺,这将是三星缩小与台积电差距的关键。为了提高良率,三星晶圆代工部门正在全力以赴,并开始不惜一切代价确保技术的成功。
韩国市场分析师认为,在地震和地缘政治等不稳定因素影响下,2024年可能是三星缩小与台积电差距的最佳时机。虽然三星在竞争中面临着一些挑战,但通过不断努力和创新,仍然有机会在先进芯片制造领域取得领先地位。
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