台积电2nm技术取得重大突破!性能提升30%

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查看21 | 回复1 | 2024-10-7 12:56:43|发表时间:2024-10-7 12:56:43| 显示全部楼层 |阅读模式

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台积电(TSMC)在2nm制程节点上取得重大突破,首次引入了Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。同时,N2工艺还结合了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了前所未有的灵活性。
相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是,晶体管密度将提升15%,这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。
然而,随着技术升级,成本也随之攀升。据预测,台积电每片300mm的2nm晶圆价格可能超过3万美元大关,高于早先预估的2.5万美元。相比之下,当前3nm晶圆的价格区间约为1.85万至2万美元,而4/5nm晶圆则徘徊在1.5到1.6万美元之间。显然,2nm晶圆的价格将出现显著增长。
面对市场对2nm工艺技术的强烈需求,台积电正不断加大对该制程节点的投资力度。公司计划在中国台湾的北部、中部和南部三地建设新工厂,并确保产能满足市场需求。
新工艺的引入意味着更多的EUV光刻步骤,甚至可能采用双重曝光技术,这无疑将进一步提升生产成本,使其高于3nm制程节点。
台积电已规划于2025年下半年正式进入批量生产阶段,并预计客户最快可在2026年前收到首批采用N2工艺制造的芯片。首个尝鲜这一先进工艺的客户很可能将是科技巨头苹果。

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雪松 | 2024-10-7 23:38:39| 显示全部楼层
非常感谢大家的关注和支持,我会继续努力。
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