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根据最新消息，三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）在1000层以上V-NAND技术发展中的关键作用。这项成就被认为将推动低电压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展。
Kim博士在摘要中提到，在金属带工程栅极中间层、铁电开关、沟道中间层和硅FeFET架构中使用了相互作用的FE开关，以显著提高性能。这表明了Hafnia FE成为扩展3D VNAND技术发展的关键因素。
值得一提的是，三星计划明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术达到430层，以进一步提高NAND的密度，并巩固和扩大其领先地位。
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